86-13826519287
1968195384@qq.com
Japanese
中文
Japanese
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
私たちについて
連絡先
お問い合わせ
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
連絡先
Japanese
中文
Japanese
ホーム
製品リスト
集積回路 (IC)
線形
アンプ
計測機器、OPアンプ、バッファアンプ
NCV20162DR2G
部品番号:
NCV20162DR2G
製品カテゴリ:
集積回路 (IC)
/
線形
/
アンプ
/
計測機器、OPアンプ、バッファアンプ
メーカー:
onsemi
説明:
8 MHZ RAIL TO RAIL CMOS
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
4989
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
NCV20162DR2G
見積依頼
在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$0.62
$0.62
10+
$0.44
$4.4
25+
$0.39
$9.75
100+
$0.34
$34
250+
$0.32
$80
500+
$0.3
$150
1000+
$0.29
$290
製品パラメータ
電流 - 出力 / チャネル
50 mA
部品ステータス
Active
回路数
2
実装タイプ
Surface Mount
パッケージ / ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
グレード
Automotive
動作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
電流 - 入力バイアス
5 pA
電圧 - 供給範囲(最小)
1.8 V
ゲイン帯域幅積
8 MHz
認定
AEC-Q100
電圧 - 供給電圧範囲(最大)
5.5 V
スルーレート
3.5V/µs
電流 - 供給
500µA (x2 Channels)
アンプタイプ
Standard (General Purpose)
出力タイプ
Single Ended, Rail-to-Rail
電圧 - 入力オフセット
300 mV
最新製品
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
詳しく見る
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
詳しく見る
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
詳しく見る
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
詳しく見る
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
詳しく見る
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
詳しく見る
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
詳しく見る
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (
詳しく見る
1968195384@qq.com
1968195384
86-13826519287